Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PMT760EN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V SC-73 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 80V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta), 6.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.610
PMT760EN,135 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V SC-73 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 80V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta), 6.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.338
PMV100ENEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460mW (Ta), 4.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.850
PMV100XPEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 386pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 463mW (Ta), 1.9W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.246
PMV117EN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 147pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Tc) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.454
PMV120ENEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 513mW (Ta), 6.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.958
PMV130ENEA/DG/B2R Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.906
PMV130ENEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460mW (Ta), 5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.862
PMV15ENEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMV15ENEA/SOT23/TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta), 8.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.830
PMV160UP,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 335mW (Ta), 2.17W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager235.926
PMV160UPVL Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 335mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.536
PMV16UN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.570
PMV16XNR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager264.048
PMV170UN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 325mW (Ta), 1.14W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.040
PMV185XN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 76pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.618
PMV20ENR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager112.932
PMV20XN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.232
PMV20XNEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.436
PMV20XNER Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager98.412
PMV213SN,215 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 280mW (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.832.406
PMV22EN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.876
PMV230ENEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480mW (Ta), 1.45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.820
PMV250EPEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager228.516
PMV25ENEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 597pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.892
PMV27UPEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.070
PMV27UPER Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.5A Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager87.270
PMV280ENEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 580mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager24.606
PMV28UN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.066
PMV28UNEAR Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V TO-236AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.680
PMV30UN,215 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.768

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