Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PMN48XP,125 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager8.190
PMN48XPAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 530mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager3.276
PMN49EN,135 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager6.624
PMN49EN,165 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager4.392
PMN50EPEX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMN50EPE/SOT457/SC-74 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.590
PMN50UPE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 510mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager2.862
PMN50XP,165 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager4.338
PMN52XPX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 763pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager29.694
PMN55ENEH Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMN55ENE/SOT457/SC-74 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager47.430
PMN55ENEX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager4.698
PMN55LN,135 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager8.082
PMN70EPEX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 4.4A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 570mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager5.256
PMN70XPE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 602pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager3.258
PMN70XPEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 602pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager7.236
PMN70XPX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager5.616
PMN80XP,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 385mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-TSOP Paket / Fall: SC-74, SOT-457	Auf Lager8.316
PMPB100ENEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager5.922
PMPB100ENEX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMPB100ENE/SOT1220/SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager8.370
PMPB100XPEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): +8V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 388pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 550mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-DFN2020MD (2x2) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager2.538
PMPB10XNE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2175pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager6.984
PMPB10XNEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.175nF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager8.280
PMPB10XNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2175pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager95.628
PMPB11EN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager140.760
PMPB12UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 886pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-DFN2020MD (2x2) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager7.848
PMPB12UNEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMPB12UNEA/SOT1220/SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.22nF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager5.238
PMPB12UNEX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 470mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager29.712
PMPB13XNE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2195pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager3.168
PMPB14XPX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PMPB14XP/SOT1220/SOT1220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager192.906
PMPB15XN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager3.618
PMPB15XP,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2875pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN2020MD-6 Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager28.266

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