Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager12.522
PSMNR58-30YLHX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.16nF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SOT-1023, 4-LFPAK	Auf Lager7.308
PSMNR70-30YLHX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PSMNR70-30YLH/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.852nF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager8.964
PSMNR70-40SSHJ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PSMNR70-40SSH/SOT1235/LFPAK88 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 425A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15719pF @ 25V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 375W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK88 (SOT1235) Paket / Fall: SOT-1235	Auf Lager3.150
PSMNR90-30BL,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14850pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 306W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager27.312
PSMNR90-40SSHJ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PSMNR90-40SSH/SOT1235/LFPAK88 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 375A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12888pF @ 25V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 375W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK88 (SOT1235) Paket / Fall: SOT-1235	Auf Lager4.590
QS5U12TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager3.564
QS5U13TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager28.914
QS5U16TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager5.328
QS5U17TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager27.978
QS5U21TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager7.074
QS5U23TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager7.578
QS5U26TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager3.114
QS5U27TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager7.614
QS5U28TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager22.920
QS5U33TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager5.004
QS5U34TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager5.382
QS5U36TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT5 Paket / Fall: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5	Auf Lager7.146
QS6U22TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager2.412
QS6U24TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager82.878
R4008ANDTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: CPT3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.988
R5005CNJTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LPTS Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.776
R5005CNX Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 5A TO220 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FM Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager10.416
R5007ANJTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LPTS Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.744
R5007ANX Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 7A TO220 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FM Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager9.348
R5007FNX Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 7A TO220 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FM Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager10.140
R5009ANJTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A LPTS Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LPTS Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.528
R5009ANX Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO220 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FM Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager16.464
R5009FNJTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A LPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LPTS Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.066
R5009FNX Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FM Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager13.548

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