Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PSMN7R8-120ESQ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9473pF @ 60V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 349W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.668
PSMN7R8-120PSQ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9473pF @ 60V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 349W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.164
PSMN8R0-30YL,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 62A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1005pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 56W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.456
PSMN8R0-30YLC,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 848pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.024
PSMN8R0-40BS,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 77A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1262pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 86W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.400
PSMN8R0-40PS,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 77A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1262pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 86W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager31.872
PSMN8R0-80YLX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 238W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager6.858
PSMN8R2-80YS,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 82A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3640pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager101.916
PSMN8R3-40YS,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1215pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 74W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager71.178
PSMN8R5-100ESFQ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 97A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3181pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 183W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager5.220
PSMN8R5-100ESQ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5512pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 263W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager53.838
PSMN8R5-100PSFQ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 98A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3181pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 183W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.700
PSMN8R5-100PSQ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5512pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 263W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager30.690
PSMN8R5-100XSQ NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5512pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager4.248
PSMN8R5-108ESQ NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 108V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5512pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 263W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.508
PSMN8R5-60YS,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2370pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 106W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager144.564
PSMN8R7-100YSFQ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.964
PSMN8R7-100YSFX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 198W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.654
PSMN8R7-80BS,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3346pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager28.992
PSMN8R7-80PS,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V TO220AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3346pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager46.380
PSMN8R9-100BSEJ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 108A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.11nF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 296W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.012
PSMN9R0-25MLC,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.65mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 705pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager2.286
PSMN9R0-25YLC,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 694pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.598
PSMN9R0-30LL,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V QFN3333 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1193pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFN3333 (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad	Auf Lager5.832
PSMN9R0-30YL,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 61A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1006pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 46W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager4.302
PSMN9R1-30YL,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager27.606
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 89A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4454pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 211W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager24.804
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TO220AB Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 89A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4454pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 211W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager13.722
PSMN9R5-100XS,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4454pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Auf Lager6.264
PSMN9R5-30YLC,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 681pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 34W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager126.450

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