Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 123pF @ 15V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFV Paket / Fall: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Auf Lager8.424
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + SBD V Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.732
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.526
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100MA ESV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ESV Paket / Fall: SOT-553	Auf Lager5.328
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.1A USV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: USV Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	Auf Lager5.886
SSM5N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A USV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: USV Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	Auf Lager5.814
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.2V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager4.194
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6) Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager35.094
SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6) Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager2.484
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ES6 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager5.274
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ES6 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager7.254
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ES6 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager79.590
SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ES6 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager34.650
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: ES6 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager34.770
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.484
SSM6J402TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.834
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UF6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager3.870
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.412
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P CH 20V 6A UF6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UF6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager7.182
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.556
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.824
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager27.744
SSM6J502NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager25.284
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager2.124
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager42.912
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 4.5V Vgs (Max): +20V, -25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager7.128
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UF6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager22.326
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3350pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager103.158
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager3.150
SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 4A UF6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UF6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager6.156

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