Transistoren

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STP33N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 24A TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager18.576
STP34N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 28A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager11.652
STP34NM60N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 29A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2722pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager13.062
STP34NM60ND STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: FDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2785pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager12.144
STP35N60DM2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 28A Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 210W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.622
STP35N60M2-EP STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2-EP FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.376
STP35N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3750pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.222
STP35NF10 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager56.448
STP360N4F6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17930pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.536
STP36N55M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 550V 33A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2670pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.664
STP36N60M6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager14.640
STP36NF06 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.154
STP36NF06FP STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.844
STP36NF06L STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager17.346
STP38N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 30A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.076
STP3HNK90Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.978
STP3LN62K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 620V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 386pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager16.884
STP3LN80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 102pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager17.832
STP3N150 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager18.792
STP3N62K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 620V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 385pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.772
STP3N80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Vgs (Max): 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager17.556
STP3NB100 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.400
STP3NK100Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 601pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.742
STP3NK50Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager19.092
STP3NK60Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 311pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager62.178
STP3NK60ZFP STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 311pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager20.388
STP3NK80Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 485pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager14.364
STP3NK90Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 3A TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager16.632
STP3NK90ZFP STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FP Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager22.092
STP400N4F6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 377nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.388

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