Transistoren

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VP2110K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager57.882
VP2206N2 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-39 Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	Auf Lager8.100
VP2206N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 640mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager18.012
VP2206N3-G-P003 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 640mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager4.824
VP2450N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager16.980
VP2450N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 500V 0.16A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager19.578
VP3203N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager21.132
VP3203N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager4.518
VQ1004P Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.938
VQ1004P-2 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.482
VQ1004P-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.002
VS-FA38SA50LCP Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.212
VS-FA40SA50LC Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.544
VS-FA72SA50LC Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.924
VS-FB180SA10P Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager3.562
VS-FB190SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 568W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.856
VS-FC220SA20 Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.1V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 789W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager5.058
VS-FC270SA20 Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SINGLE SWITCH PWR MODULE SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 287A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16500pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 937W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.786
VS-FC420SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MODULE 100V 435A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 435A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 652W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager6.912
VS-FC420SA15 Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SINGLE SWITCH PWR MODULE SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 909W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.416
VS-FC80NA20 Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 108A Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 108A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10720pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 405W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager2.466
WPB4001-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.568
WPB4002 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PB Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.362
WPB4002-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.574
WPH4003-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1700V 2.5A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PF Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack	Auf Lager6.204
XN0NE9200L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 800mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Mini5-G1 Paket / Fall: SC-74A, SOT-753	Auf Lager28.056
XP151A11B0MR-G Torex Semiconductor Ltd	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1A SOT23 Hersteller: Torex Semiconductor Ltd Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.070
XP151A12A2MR Torex Semiconductor Ltd	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 Hersteller: Torex Semiconductor Ltd Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.488
XP151A12A2MR-G Torex Semiconductor Ltd	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET, 20V, 1A, N-TYPE, S Hersteller: Torex Semiconductor Ltd Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.578
XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 Hersteller: Torex Semiconductor Ltd Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.996

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