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KSD560R ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.352
KSD560RTSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.400
KSD560RTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.168
KSD560Y ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager2.178
KSD560YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.742
KSD568OTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 7A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.182
KSD568RTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 7A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.604
KSD568YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 7A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.670
KSD569OTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 7A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.084
KSD569RTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 7A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager4.212
KSD569YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 7A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.480
KSD73O ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 10V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.076
KSD73Y ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 10V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.010
KSD73YTSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 10V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager3.454
KSD73YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 5A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 10V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.146
KSD794AYS ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.934
KSD794AYSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.214
KSD794YSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager8.100
KSD880O ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager21.408
KSD880OPATU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager4.716
KSD880Y ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.542
KSD880YTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.440
KSD882OS ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager6.642
KSD882RS ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager7.704
KSD882YS ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager25.758
KSD882YSTSSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager4.608
KSD882YSTSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager6.120
KSD882YSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager25.896
KSD985OSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 1.5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager8.550
KSD986OS ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager6.174

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