Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 471/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
KSE350STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.474
KSE44H11 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.67W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager21.732
KSE44H11TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.67W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager17.526
KSE45H11 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.67W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager21.996
KSE45H11TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.67W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager18.810
KSE45H8 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.67W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.480
KSE45H8TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.67W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.750
KSE5020AS ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 18MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.240
KSE5020S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 5V Leistung - max: 30W Frequenz - Übergang: 18MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.232
KSE5740TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 300V 8A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager6.498
KSE5741TU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 350V 8A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager8.640
KSE5742 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 400V 8A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.940
KSE700S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager6.156
KSE700STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.924
KSE701STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager5.022
KSE702S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager6.426
KSE702STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager4.950
KSE703S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.088
KSE703STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager3.366
KSE800S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager8.874
KSE800STSSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager8.586
KSE800STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager5.886
KSE801STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager4.050
KSE802STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.016
KSE803S ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.214
KSE803STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager8.748
KSH112GTM ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager3.744
KSH112GTM_NB82051 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager6.894
KSH112GTM_SB82051 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager3.546
KSH112ITU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A I-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager3.492

«
‹
1
...
468
469
470
471 (current)
472
473
474
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message