Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 756/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
DMN2028UFU-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2030-6 (Type B)	Auf Lager8.010
DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2030-6 (Type B)	Auf Lager509
DMN2029USD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1171pF @ 10V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.596
DMN2029UVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.046
DMN2029UVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.148
DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.45W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA, WLBGA Lieferantengerätepaket: X2-WLB1616-4	Auf Lager26.094
DMN2040LSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 562pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.236
DMN2040LTS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V Leistung - max: 890mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager5.580
DMN2041LSD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.63A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Leistung - max: 1.16W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager668.706
DMN2041UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager6.552
DMN2041UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager4.140
DMN2050LFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V Leistung - max: 730mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager82.368
DMN2050LFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V Leistung - max: 730mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager6.084
DMN2053UVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager6.714
DMN2053UVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager6.318
DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 455mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V Leistung - max: 310mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: X2-DFN0806-6	Auf Lager5.868
DMN2215UDM-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 188pF @ 10V Leistung - max: 650mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager24.450
DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V Leistung - max: 1.39W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: X2-DFN1310-6 (Type B)	Auf Lager3.402
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.33A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V Leistung - max: 530mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager371.334
DMN26D0UDJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1pF @ 15V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager93.216
DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager247.410
DMN2990UDJQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 16V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager5.220
DMN3012LDG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max: 2.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type D)	Auf Lager8.712
DMN3012LDG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max: 2.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type D)	Auf Lager2.682
DMN3012LEG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.244
DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.516
DMN3012LFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager5.454
DMN3012LFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8	Auf Lager3.456
DMN3013LDG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Leistung - max: 2.16W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type D)	Auf Lager6.408
DMN3013LDG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Leistung - max: 2.16W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type D)	Auf Lager2.628

«
‹
1
...
753
754
755
756 (current)
757
758
759
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message