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FMM50-025TF IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V Leistung - max: 125W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager8.406
FMM60-02TF IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 25V Leistung - max: 125W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager7.236
FMM65-015P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager3.436
FMM75-01F IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager6.696
FMP26-02P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A, 17A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2720pF @ 25V Leistung - max: 125W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager6.354
FMP36-015P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A, 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V Leistung - max: 125W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager6.912
FMP76-010T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC Hersteller: IXYS Serie: Trench™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 62A, 54A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V Leistung - max: 89W, 132W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager5.040
FMP76-01T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 10V, 104nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V Leistung - max: 89W, 132W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUS i4-PAC™	Auf Lager4.086
FPF1C2P5BF07A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 5 N-Channel (Solar Inverter) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 250W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: F1 Module Lieferantengerätepaket: F1	Auf Lager2.250
FQS4900TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A, 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager7.146
FQS4901TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 225mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager93.228
FQS4903TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager26.838
FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MODULE 1200V 50A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Leistung - max: 20mW (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-EASY1BM-2	Auf Lager7.830
FTCO3V455A1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE Hersteller: ON Semiconductor Serie: SPM® FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 115W Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 19-PowerDIP Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager60
FW216A-TL-2W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.640
FW216A-TL-2WX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.366
FW217A-TL-2W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 20V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager78.990
FW217A-TL-2WX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 35V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.896
FW231A-TL-E SANYO Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP Hersteller: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 10V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.510
FW274-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 10V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.570
FW276-TL-2H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 20V Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.978
FW282-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 20V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.866
FW297-TL-2W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.636
FW344A-TL-2W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A, 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Leistung - max: 1.7W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager7.344
FW344A-TL-2WX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.398
FW389-TL-2W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 10V Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager24.960
FW389-TL-2WX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 100V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.568
FW4604-TL-2W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 10V Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.878
FW707-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.156
FW811-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 20V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.968

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