Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PHKD13N03LT,518 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V Leistung - max: 3.57W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.552
PHKD3NQ10T,518 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 633pF @ 20V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.572
PHKD6N02LT,518 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Leistung - max: 4.17W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.336
PHN203,518 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 20V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.690
PHN210,118 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 20V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.264
PHN210T,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 20V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.122
PHP225,118 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 20V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.582
PMCM650CUNEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays PMCM650CUNE NAX000 NONE Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 556mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.48x0.98)	Auf Lager5.814
PMCPB5530X,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta), 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Leistung - max: 490mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager318.150
PMCXB1000UEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 590mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V Leistung - max: 285mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager4.302
PMCXB900UELZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Leistung - max: 380mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager8.874
PMCXB900UEZ Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Leistung - max: 265mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN1010B-6	Auf Lager550.872
PMDPB28UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V Leistung - max: 510mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6	Auf Lager4.716
PMDPB30XN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Leistung - max: 490mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager4.536
PMDPB38UNE,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V Leistung - max: 510mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6	Auf Lager6.426
PMDPB42UN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 10V Leistung - max: 510mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6	Auf Lager7.128
PMDPB55XP,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Leistung - max: 490mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager3.492
PMDPB56XN,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V Leistung - max: 510mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6	Auf Lager2.862
PMDPB56XNEAX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V Leistung - max: 485mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-6	Auf Lager5.670
PMDPB58UPE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V Leistung - max: 515mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager67.674
PMDPB65UP,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V Leistung - max: 520mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6	Auf Lager3.762
PMDPB70EN,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 15V Leistung - max: 510mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager7.704
PMDPB70XP,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V Leistung - max: 490mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager2.448
PMDPB70XPE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Leistung - max: 515mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager144.852
PMDPB760ENX WeEn Semiconductors	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET AXIAL Hersteller: WeEn Semiconductors Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.092
PMDPB80XP,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Leistung - max: 485mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager6.048
PMDPB85UPE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 10V Leistung - max: 515mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager6.228
PMDPB95XNE,115 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 15V Leistung - max: 475mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6	Auf Lager3.924
PMDPB95XNE2X Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V Leistung - max: 510mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-HUSON-EP (2x2)	Auf Lager22.344
PMDT290UCE,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA, 550mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager344.952

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