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QS8K2TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Leistung - max: 1.25W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager3.474
QS8K51TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager8.172
QS8M11TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager22.860
QS8M12TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager8.046
QS8M13TCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager149.388
QS8M31TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta), 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC, 7.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF, 750pF @ 10V Leistung - max: 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager27.180
QS8M51TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: TSMT8	Auf Lager26.082
RJK4034DJE-00#Z0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.248
RJM0306JSP-01#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V Leistung - max: 2.2W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager4.770
RJM0603JSC-00#12 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V Leistung - max: 54W Betriebstemperatur: 175°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 20-HSOP	Auf Lager2.754
RJM0603JSC-00#13 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V Leistung - max: 54W Betriebstemperatur: 175°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 20-HSOP	Auf Lager4.716
SC8673010L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A/40A 8-HSO Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 4.38mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5180pF @ 10V Leistung - max: 1.7W, 2.5W Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerSMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: HSO8-F3-B	Auf Lager8.298
SC8673040L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 16A/46A 8-HSO Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 46A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 5.85mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1092pF @ 10V Leistung - max: 1.7W, 2.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerSMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: HSO8-F3-B	Auf Lager7.740
SH8J31GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.268
SH8J62TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.976
SH8J65TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.640
SH8J66TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager19.308
SH8K10SGZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SH8K10S IS A POWER MOSFET WITH L Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC, 17.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF, 830F @ 10V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.946
SH8K12TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.676
SH8K15TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.372
SH8K1TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager22.020
SH8K22TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.184
SH8K25GZ0TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.456
SH8K26GZ0TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.624
SH8K2TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: 8-SOP (5.0x6.0)	Auf Lager3.096
SH8K32GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEX Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager2.178
SH8K32TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP (5.0x6.0)	Auf Lager53.478
SH8K37GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.582
SH8K39GZETB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V Leistung - max: 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.364
SH8K3TB1 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager22.782

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