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SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA, 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager35.046
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA, 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager5.382
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA, 330mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager30.378
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta), 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC, 1.2nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF, 43pF @ 10V Leistung - max: 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UF6	Auf Lager7.128
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UF6	Auf Lager4.914
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta), 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC, 2.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF, 120pF @ 15V Leistung - max: 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UF6	Auf Lager7.884
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager26.922
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.8pF @ 3V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager7.884
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager115.080
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V Leistung - max: 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager73.368
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager22.386
SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V Leistung - max: 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager29.406
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.562
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 12V Leistung - max: 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-TSOP-F	Auf Lager25.764
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager30.672
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Leistung - max: 285mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager26.064
SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager34.080
SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager2.448
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V Leistung - max: 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UF6	Auf Lager57.666
SSM6N37CTD(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Leistung - max: 140mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: CST6D	Auf Lager4.104
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager5.796
SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager213.492
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UF6	Auf Lager3.186
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.596
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager5.112
SSM6N43FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager22.488
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager349.350
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V Leistung - max: 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager28.596
SSM6N48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager7.020
SSM6N48FU,RF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager6.768

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