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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.1A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager7.074
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-µDFN (2x2)	Auf Lager4.302
SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.8A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager106.050
SSM6N57NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-µDFN (2x2)	Auf Lager25.812
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager178.158
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFNB (2x2)	Auf Lager5.670
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V Leistung - max: 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UF6	Auf Lager45.852
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager29.988
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Leistung - max: 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager24.894
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager3.312
SSM6N7002BFE(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager8.568
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager2.916
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager4.428
SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V Leistung - max: 285mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager266.466
SSM6N7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.3A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Leistung - max: 285mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager666.396
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Leistung - max: 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-TSOP-F	Auf Lager6.048
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager68.556
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Leistung - max: 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager48.372
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V Leistung - max: 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager81.318
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVII FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V Leistung - max: 285mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: US6	Auf Lager25.890
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6	Auf Lager3.042
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager35.268
SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 330mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager6.840
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Leistung - max: 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UF6	Auf Lager55.446
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.888
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 720mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: ES6 (1.6x1.6)	Auf Lager34.788
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager22.698
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager24.612
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.544

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