Transistoren

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2SK3402(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.274
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FL Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager3.996
2SK3408-T1B-AT Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS N-CH CMPAK-4 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 43V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-96-3, Thin Mini Mold Paket / Fall: SC-96	Auf Lager5.328
2SK3430(02)-S6-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.424
2SK3430-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.526
2SK3430-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.568
2SK3431-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 83A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.192
2SK3431-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 83A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.824
2SK3435-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.014
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 267pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PW-MOLD Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.354
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-TFP (9.2x9.2) Paket / Fall: SC-97	Auf Lager3.204
2SK3480-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.822
2SK3481-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 56W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.974
2SK3482-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 (MP-3) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.294
2SK3483(0)-Z-E1-AY Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.412
2SK3483(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.410
2SK3483-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 (MP-3) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.064
2SK3484(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.446
2SK3484-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 (MP-3) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.462
2SK353900L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-G1 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager7.740
2SK3539G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-F2 Paket / Fall: SC-85	Auf Lager3.420
2SK3541T2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VMT3 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager767.352
2SK3546G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125mW (Ta) Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-F2 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager8.424
2SK3546J0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125mW (Ta) Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SSMini3-F1 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager5.562
2SK354700L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F1 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager2.106
2SK3547G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SSSMini3-F2 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager8.424
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager18.096
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.328
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220SIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.480
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220NIS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.356

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