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2SK4043LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.012
2SK4065-DL-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 100A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.938
2SK4065-DL-1EX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V TO263-2 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.784
2SK4065-DL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMP-FD Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.150
2SK4065-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 100A SMP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12200pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: SMP Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager7.974
2SK4066-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-262-3 Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.256
2SK4066-DL-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.212
2SK4066-DL-1EX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V TO263-2 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.744
2SK4066-DL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMP-FD Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.920
2SK4066-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A SMP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: SMP Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab	Auf Lager4.248
2SK4085LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.752
2SK4085LS-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 16A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3FS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.526
2SK4087LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 14A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.750
2SK4087LS-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 14A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3FS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.282
2SK4088LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V TO-220FI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.202
2SK4088LS-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 11A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3FS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.472
2SK4089LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.264
2SK4093TZ-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 1A TO-92 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92MOD Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	Auf Lager8.802
2SK4094-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.75W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.192
2SK4098FS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 6A TO220F-3FS Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3FS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.016
2SK4099LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.390
2SK4099LS-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 8.5A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3FS Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.184
2SK4116LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.564
2SK4117LS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FI Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FI(LS) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.668
2SK4124 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PB Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.376
2SK4124-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 20A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.508
2SK4125 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PB Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager5.706
2SK4125-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 17A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.580
2SK4125-1EX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 17A TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TA) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager5.940
2SK4126 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 170W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PB Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.618

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