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AFGB40T65SQDN

AFGB40T65SQDN

Nur als Referenz

Teilenummer AFGB40T65SQDN
PNEDA Teilenummer AFGB40T65SQDN
Beschreibung 650V/40A FS4 IGBT TO263 A
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.100
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AFGB40T65SQDN Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAFGB40T65SQDN
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AFGB40T65SQDN, AFGB40T65SQDN Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 265,84 KB)
PDFAFGB40T65SQDN Datenblatt Cover
AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 2 AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 3 AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 4 AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 5 AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 6 AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 7 AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 8 AFGB40T65SQDN Datenblatt Seite 9

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AFGB40T65SQDN Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Leistung - max238W
Schaltenergie858µJ (on), 229µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge76nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17.6ns/75.2ns
Testbedingung400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)131ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD²PAK-3 (TO-263-3)

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SGP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Leistung - max

92W

Schaltenergie

320µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/178ns

Testbedingung

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

FGPF120N30TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

112nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220F

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.94V @ 15V, 30A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/99ns

Testbedingung

240V, 11A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 110A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

183nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/156ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IKP08N65F5XKSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

70µJ (on), 20µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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