APT20GT60BRDQ1G
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| Teilenummer | APT20GT60BRDQ1G |
| PNEDA Teilenummer | APT20GT60BRDQ1G |
| Beschreibung | IGBT 600V 43A 174W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT20GT60BRDQ1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT20GT60BRDQ1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT20GT60BRDQ1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 43A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 174W |
| Schaltenergie | 215µJ (on), 245µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 8ns/80ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 375W Schaltenergie 520µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 127nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/190ns Testbedingung 400V, 45A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
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