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IXGF36N300

IXGF36N300

Nur als Referenz

Teilenummer IXGF36N300
PNEDA Teilenummer IXGF36N300
Beschreibung IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.966
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IXGF36N300 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGF36N300
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGF36N300, IXGF36N300 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 201,01 KB)
PDFIXGF36N300 Datenblatt Cover
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IXGF36N300 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)36A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 100A
Leistung - max160W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge136nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5 (3 Leads)
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IXGP7N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

70µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/65ns

Testbedingung

480V, 7A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGD3325G2-F085V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

800ns/5.1µs

Testbedingung

5V, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

IRGB20B60PD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

215W

Schaltenergie

95µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/115ns

Testbedingung

390V, 13A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IGW30N65L5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

227W

Schaltenergie

470µJ (on), 1.35mJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

168nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

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