APT45GR65BSCD10
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| Teilenummer | APT45GR65BSCD10 |
| PNEDA Teilenummer | APT45GR65BSCD10 |
| Beschreibung | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.086 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APT45GR65BSCD10 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT45GR65BSCD10 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT45GR65BSCD10 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 118A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 224A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Leistung - max | 543W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/100ns |
| Testbedingung | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 35A Leistung - max 200W Schaltenergie 5.4mJ (on), 2.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 35A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A Leistung - max 200W Schaltenergie 400µJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/130ns Testbedingung 300V, 37A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 290A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 500W Schaltenergie 3.7mJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 118nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/84ns Testbedingung 400V, 75A, 4Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 147ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 13A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 165µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/28ns Testbedingung 600V, 13A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 32A Leistung - max 140W Schaltenergie 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/85ns Testbedingung 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
