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FGB20N6S2

FGB20N6S2

Nur als Referenz

Teilenummer FGB20N6S2
PNEDA Teilenummer FGB20N6S2
Beschreibung IGBT 600V 28A 125W TO263AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGB20N6S2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGB20N6S2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGB20N6S2, FGB20N6S2 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 179,48 KB)
PDFFGP20N6S2 Datenblatt Cover
FGP20N6S2 Datenblatt Seite 2 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 3 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 4 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 5 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 6 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 7 FGP20N6S2 Datenblatt Seite 8

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FGB20N6S2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A
Leistung - max125W
Schaltenergie25µJ (on), 58µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.7.7ns/87ns
Testbedingung390V, 7A, 25Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

700µJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/180ns

Testbedingung

300V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT15GT120BRDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

585µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/85ns

Testbedingung

800V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRGP4262DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

520µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/73ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IGD01N120H2BUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.2A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

3.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1A

Leistung - max

28W

Schaltenergie

140µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

8.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/370ns

Testbedingung

800V, 1A, 241Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

770µJ (on), 1.11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/186ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

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