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RJH60D7BDPQ-E0#T2

RJH60D7BDPQ-E0#T2

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D7BDPQ-E0#T2
PNEDA Teilenummer RJH60D7BDPQ-E0-T2
Beschreibung IGBT 600V 90A 300W TO-247
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60D7BDPQ-E0#T2 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D7BDPQ-E0#T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60D7BDPQ-E0#T2, RJH60D7BDPQ-E0#T2 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 327,79 KB)
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RJH60D7BDPQ-E0#T2 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)90A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
Leistung - max300W
Schaltenergie700µJ (on), 1.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge125nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/180ns
Testbedingung300V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

33µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

5ns/53ns

Testbedingung

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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IGB15N60TATMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/188ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

129A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

875µJ (on), 425µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/82ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 4A

Leistung - max

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