FMM150-0075X2F
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| Teilenummer | FMM150-0075X2F |
| PNEDA Teilenummer | FMM150-0075X2F |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.304 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FMM150-0075X2F Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FMM150-0075X2F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FMM150-0075X2F Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
| Leistung - max | 170W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1984pF @ 6V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 90.4mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 25V Leistung - max 3.15W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SO |
