HGTP12N60C3
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| Teilenummer | HGTP12N60C3 |
| PNEDA Teilenummer | HGTP12N60C3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.032 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP12N60C3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTP12N60C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTP12N60C3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 24A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 104W |
| Schaltenergie | 380µJ (on), 900µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 48nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 390W Schaltenergie 2.61mJ (on), 1.85mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/410ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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