IKW75N65EL5XKSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IKW75N65EL5XKSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IKW75N65EL5XKSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 4.367 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IKW75N65EL5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKW75N65EL5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKW75N65EL5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 536W |
| Schaltenergie | 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 436nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/275ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 4Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 114ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 50A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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