IRG8P40N120KDPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG8P40N120KDPBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRG8P40N120KDPBF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 128 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IRG8P40N120KDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG8P40N120KDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IRG8P40N120KDPBF, IRG8P40N120KDPBF Datenblatt
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IRG8P40N120KDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 305W |
| Schaltenergie | 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 240nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/245ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 625W Schaltenergie 400µJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 350nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/145ns Testbedingung 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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