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IXGQ170N30PB

IXGQ170N30PB

Nur als Referenz

Teilenummer IXGQ170N30PB
PNEDA Teilenummer IXGQ170N30PB
Beschreibung IGBT 300V 170A 330W TO3P
Hersteller IXYS
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IXGQ170N30PB Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGQ170N30PB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGQ170N30PB, IXGQ170N30PB Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 110,46 KB)
PDFIXGQ170N30PB Datenblatt Cover
IXGQ170N30PB Datenblatt Seite 2 IXGQ170N30PB Datenblatt Seite 3 IXGQ170N30PB Datenblatt Seite 4 IXGQ170N30PB Datenblatt Seite 5

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IXGQ170N30PB Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolar™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)170A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 85A
Leistung - max330W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge143nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

135µJ (on), 815µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.5ns/175ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

250µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/97ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

300V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

42W

Schaltenergie

260µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/72ns

Testbedingung

400V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

105ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

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Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

110ns/270ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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