IXYH40N120B3D1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXYH40N120B3D1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXYH40N120B3D1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 86A 480W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 276 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXYH40N120B3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH40N120B3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH40N120B3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 86A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 480W |
| Schaltenergie | 2.7mJ (on), 1.6mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 87nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/177ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXYH) |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 223A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 1000A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A Leistung - max 625W Schaltenergie 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/160ns Testbedingung 360V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-PowerSMD, 21 Leads Lieferantengerätepaket 24-SMPD |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 32A Leistung - max 400W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller ON Semiconductor Serie EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 360V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4.8µs Testbedingung 300V, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 75A Leistung - max 536W Schaltenergie 1.57mJ (on), 3.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 436nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/275ns Testbedingung 400V, 75A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 59ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 43A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 147W Schaltenergie 2.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/250ns Testbedingung 600V, 25A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
