RGCL60TS60DGC11
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| Teilenummer | RGCL60TS60DGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGCL60TS60DGC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.928 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGCL60TS60DGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGCL60TS60DGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGCL60TS60DGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 48A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 111W |
| Schaltenergie | 770µJ (on), 1.11mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 68nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 44ns/186ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/200ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 125A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 55A Leistung - max 460W Schaltenergie 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/365ns Testbedingung 960V, 55A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max 92W Schaltenergie 320µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/178ns Testbedingung 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 445V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4.5V, 10A Leistung - max 94W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 134A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 260A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A Leistung - max 595W Schaltenergie 1.51mJ (on), 1.46mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 305nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/170ns Testbedingung 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
