SGM2N60UFTF

Nur als Referenz
Teilenummer | SGM2N60UFTF |
PNEDA Teilenummer | SGM2N60UFTF |
Beschreibung | IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.218 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 19 - Jul 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SGM2N60UFTF Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | SGM2N60UFTF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SGM2N60UFTF Datasheet
- where to find SGM2N60UFTF
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor SGM2N60UFTF
- SGM2N60UFTF PDF Datasheet
- SGM2N60UFTF Stock
- SGM2N60UFTF Pinout
- Datasheet SGM2N60UFTF
- SGM2N60UFTF Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- SGM2N60UFTF Price
- SGM2N60UFTF Distributor
SGM2N60UFTF Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2.4A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 10A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 1.2A |
Leistung - max | 2.1W |
Schaltenergie | 30µJ (on), 13µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 9nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/80ns |
Testbedingung | 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Lieferantengerätepaket | SOT-223-4 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 275A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 30A Leistung - max 680W Schaltenergie 5.9mJ (on), 3.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/150ns Testbedingung 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 160ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227B |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 24A Leistung - max 270W Schaltenergie 500µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/77ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXXH) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 35A Leistung - max 400W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 300nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 90ns/340ns Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A Leistung - max 1042W Schaltenergie 1620µJ (on), 2500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 320nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/163ns Testbedingung 600V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |