SGM2N60UFTF
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| Teilenummer | SGM2N60UFTF |
| PNEDA Teilenummer | SGM2N60UFTF |
| Beschreibung | IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.218 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGM2N60UFTF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGM2N60UFTF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGM2N60UFTF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2.4A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 10A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 1.2A |
| Leistung - max | 2.1W |
| Schaltenergie | 30µJ (on), 13µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 9nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/80ns |
| Testbedingung | 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223-4 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A Leistung - max 1042W Schaltenergie 1620µJ (on), 2500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 320nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/163ns Testbedingung 600V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
