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STGW20IH125DF

STGW20IH125DF

Nur als Referenz

Teilenummer STGW20IH125DF
PNEDA Teilenummer STGW20IH125DF
Beschreibung IGBT 1250V 40A 259W TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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STGW20IH125DF Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW20IH125DF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW20IH125DF, STGW20IH125DF Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.351,02 KB)
PDFSTGWT20IH125DF Datenblatt Cover
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STGW20IH125DF Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1250V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 15A
Leistung - max259W
Schaltenergie410µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge68nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/106ns
Testbedingung600V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 10V, 3A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

250µJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/600ns

Testbedingung

480V, 3A, 470Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

234ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

FGH40T65UPD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.59mJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

177nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/144ns

Testbedingung

400V, 40A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGHL50T65SQ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

410µJ (on), 88µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

99nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/93ns

Testbedingung

400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

157nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/229ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Surface Mount

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