STU6N90K5
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| Teilenummer | STU6N90K5 |
| PNEDA Teilenummer | STU6N90K5 |
| Beschreibung | N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STU6N90K5 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STU6N90K5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STU6N90K5 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ K5 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | IPAK (TO-251) |
| Paket / Fall | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 40W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HVSON (6x5) Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad |
