TF252TH-5-TL-H
Nur als Referenz
| Teilenummer | TF252TH-5-TL-H | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | TF252TH-5-TL-H | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 0.1W 3VTFP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 206 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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TF252TH-5-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TF252TH-5-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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TF252TH-5-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 210µA @ 2V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 1mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 1V @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.1pF @ 2V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 3-VTFP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket VTFP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 12 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AA (TO-18) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1.8V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/431 FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 3-UB (3.09x2.45) |
