ZXMN2AM832TA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXMN2AM832TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXMN2AM832TA |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 29.004 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMN2AM832TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMN2AM832TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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ZXMN2AM832TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 299pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-MLP (3x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-EFCP (1.9x1.46) |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 24-SMD |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 514pF @ 10V Leistung - max 515mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-HUSON-EP (2x2) |
