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DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN3033LSDQ-13
PNEDA Teilenummer DMN3033LSDQ-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Hersteller Diodes Incorporated
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DMN3033LSDQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN3033LSDQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN3033LSDQ-13, DMN3033LSDQ-13 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 401,07 KB)
PDFDMN3033LSDQ-13 Datenblatt Cover
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DMN3033LSDQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds725pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2242pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

P-DSO-8

TSM6502CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

Leistung - max

40W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-PDFN (5x6)

DMN3018SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

697pF @ 15V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1995pF @ 40V

Leistung - max

187W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Leistung - max

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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