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IXSH24N60U1

IXSH24N60U1

Nur als Referenz

Teilenummer IXSH24N60U1
PNEDA Teilenummer IXSH24N60U1
Beschreibung IGBT 600V 48A 150W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.608
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IXSH24N60U1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSH24N60U1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSH24N60U1, IXSH24N60U1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 37,92 KB)
PDFIXSH24N60U1 Datenblatt Cover
IXSH24N60U1 Datenblatt Seite 2

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IXSH24N60U1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)48A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 24A
Leistung - max150W
Schaltenergie2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge75nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/450ns
Testbedingung480V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXSH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.6mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

143ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

410A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

1560W

Schaltenergie

5mJ (on), 4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/370ns

Testbedingung

400V, 100A, 0Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

108ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

RJH60F0DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 25A

Leistung - max

201.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/70ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

STGW60H65F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

750µJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/180ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGB10M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

120µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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