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NGTB40N60IHLWG

NGTB40N60IHLWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB40N60IHLWG
PNEDA Teilenummer NGTB40N60IHLWG
Beschreibung IGBT 600V 40A TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.786
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB40N60IHLWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB40N60IHLWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB40N60IHLWG, NGTB40N60IHLWG Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 137,29 KB)
PDFNGTB40N60IHLWG Datenblatt Cover
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NGTB40N60IHLWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Leistung - max250W
Schaltenergie400µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge130nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.70ns/140ns
Testbedingung400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)400ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

410µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

77nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/60ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

APT50GT60BRDQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

446W

Schaltenergie

995µJ (on), 1070µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/240ns

Testbedingung

400V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGH40N120ANTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/110ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RGT50TM65DGC9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

47W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NFM

STGB6NC60HD-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Kürzlich verkauft

LTC1453CS8#PBF

LTC1453CS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

1SMC48A TR13

1SMC48A TR13

Central Semiconductor Corp

TVS DIODE 48V 77.4V SMC

LTST-S326KGJRKT

LTST-S326KGJRKT

Lite-On Inc.

LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD R/A

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

WSL1206R0100FEA

WSL1206R0100FEA

Vishay Dale

RES 0.01 OHM 1% 1/4W 1206

MMSS8550-H-TP

MMSS8550-H-TP

Micro Commercial Co

TRANS PNP 25V 1.5A SOT23

NC7WZ132K8X

NC7WZ132K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND SCHMITT 2CH US8

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23

64900001039

64900001039

Littelfuse

FUSE BLOCK CART 250V 6.3A PCB

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

BZ-2RDT

BZ-2RDT

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 15A 125V

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD