Speicher-ICs

Speicher (46.590)
Speicher - Batterien (13)
Speicher - Konfigurations-Proms für FPGAs (578)
Speichercontroller (151)

Datensätze 47.332

Seite 1194/1578

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MT49H16M18BM-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.176
MT49H16M18BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.268
MT49H16M18BM-33 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.052
MT49H16M18BM-33 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.372
MT49H16M18BM-5:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.690
MT49H16M18BM-5:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.438
MT49H16M18CBM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.938
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.456
MT49H16M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.878
MT49H16M18CBM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.338
MT49H16M18CFM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.418
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.842
MT49H16M18CFM-33:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.366
MT49H16M18CFM-5 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.680
MT49H16M18CSJ-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager6.588
MT49H16M18CSJ-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager2.106
MT49H16M18CSJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager3.366
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.820
MT49H16M18CTR-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.312
MT49H16M18FM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.618
MT49H16M18FM-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.654
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.878
MT49H16M18FM-25 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.258
MT49H16M18FM-33:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.538
MT49H16M18FM-33:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.778
MT49H16M18FM-33 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.100
MT49H16M18SJ-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager3.960
MT49H16M18SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager2.142
MT49H16M18SJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager2.142
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager5.616

«
‹
1
...
1191
1192
1193
1194 (current)
1195
1196
1197
...
1578
›
»

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message