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MT49H32M18BM-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.470
MT49H32M18BM-18:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.056
MT49H32M18BM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.592
MT49H32M18BM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.050
MT49H32M18BM-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.982
MT49H32M18BM-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.118
MT49H32M18BM-33:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.330
MT49H32M18BM-33:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.996
MT49H32M18CBM-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager507
MT49H32M18CBM-18:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.726
MT49H32M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.256
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.354
MT49H32M18CFM-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.282
MT49H32M18CFM-18:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.734
MT49H32M18CFM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.832
MT49H32M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.778
MT49H32M18CFM-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.496
MT49H32M18CFM-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.154
MT49H32M18CSJ-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.982
MT49H32M18CSJ-18:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager5.724
MT49H32M18CSJ-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager4.986
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.028
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager2.016
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.784
MT49H32M18FM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.892
MT49H32M18FM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.106
MT49H32M18FM-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.250
MT49H32M18FM-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.082
MT49H32M18FM-33:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager13.976
MT49H32M18FM-33:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.244

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