Speicher-ICs

Speicher (46.590)
Speicher - Batterien (13)
Speicher - Konfigurations-Proms für FPGAs (578)
Speichercontroller (151)

Datensätze 47.332

Seite 1195/1578

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MT49H16M36BM-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.346
MT49H16M36BM-18:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.604
MT49H16M36BM-18 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.192
MT49H16M36BM-18 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.672
MT49H16M36BM-25:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.992
MT49H16M36BM-25:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.418
MT49H16M36BM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.994
MT49H16M36BM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.730
MT49H16M36BM-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.428
MT49H16M36BM-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.238
MT49H16M36BM-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.382
MT49H16M36BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.924
MT49H16M36BM-33:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager559
MT49H16M36BM-33:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.585
MT49H16M36FM-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager10.139
MT49H16M36FM-18:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.236
MT49H16M36FM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.456
MT49H16M36FM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.058
MT49H16M36FM-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.372
MT49H16M36FM-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.928
MT49H16M36SJ-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager3.501
MT49H16M36SJ-18:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.838
MT49H16M36SJ-18 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager3.168
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager5.688
MT49H16M36SJ-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.532
MT49H16M36SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager6.858
MT49H16M36SJ-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager1.836
MT49H16M36SJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.028
MT49H16M36SJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager7.740
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 576Mb (16M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager6.156

«
‹
1
...
1192
1193
1194
1195 (current)
1196
1197
1198
...
1578
›
»

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message