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EDB8164B4PR-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager2.214
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager8.388
EDB8164B4PT-1DAT-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager5.634
EDB8164B4PT-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager4.860
EDB8164B4PT-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager8.334
EDB8164B4PT-1DIT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager6.696
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager8.424
EDBA164B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.435
EDBA164B2PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.068
EDBA164B2PR-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-VFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager6.768
EDBA164B2PR-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-VFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager5.904
EDBA232B2PB-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager1.393
EDBA232B2PB-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager3.490
EDBA232B2PD-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.804
EDBA232B2PD-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.052
EDBA232B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager4.446
EDBA232B2PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-TFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager3.834
EDBM432B3PB-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager7.182
EDBM432B3PB-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager5.004
EDBM432B3PD-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.694
EDBM432B3PD-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.812
EDBM432B3PF-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager7.110
EDBM432B3PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager4.752
EDF4432ACPE-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.538
EDF4432ACPE-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.174
EDF620AAABH-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR3 6G 192MX32 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.816
EDF8132A3MA-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARAL 800MHZ 178FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.276
EDF8132A3MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.130
EDF8132A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.760
EDF8132A3MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.266

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