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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-WFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager3.078
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-WFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager3.996
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-WFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager2.286
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-WFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager4.824
EDB4432BBBJ-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-WFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager3.726
EDB4432BBBJ-1D-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-WFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager5.094
EDB4432BBPA-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager13.529
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager4.050
EDB4432BBPE-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.946
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.964
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager2.988
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.208
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager2.304
EDB5432BEBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.514
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-VFBGA (10x11.5)	Auf Lager3.400
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager2.016
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager3.544
EDB5432BEPA-1DIT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager5.436
EDB5432BEPA-1DIT-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager4.626
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-WFBGA (12x12)	Auf Lager5.598
EDB8132B4PB-8D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager8.496
EDB8132B4PB-8D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager8.784
EDB8132B4PM-1DAT-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager8.064
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager5.220
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager4.536
EDB8132B4PM-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager8.424
EDB8132B4PM-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-WFBGA Lieferantengerätepaket: 168-FBGA (12x12)	Auf Lager3.618
EDB8164B4PK-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 220-WFBGA Lieferantengerätepaket: 220-FBGA (14x14)	Auf Lager7.272
EDB8164B4PK-1D-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 220-WFBGA Lieferantengerätepaket: 220-FBGA (14x14)	Auf Lager2.952
EDB8164B4PR-1D-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager610

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