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EDF8132A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-WFBGA (12x12)	Auf Lager3.690
EDF8132A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-WFBGA (12x12)	Auf Lager3.960
EDF8132A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager8.838
EDF8132A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager2.610
EDF8132A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.462
EDF8132A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.266
EDF8132A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.110
EDF8132A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.194
EDF8132A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.592
EDF8132A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.760
EDF8164A3MA-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 253-FBGA (11x11)	Auf Lager6.858
EDF8164A3MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 253-FBGA (11x11)	Auf Lager7.074
EDF8164A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 253-FBGA (11x11)	Auf Lager5.184
EDF8164A3MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 253-FBGA (11x11)	Auf Lager5.202
EDF8164A3MC-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.826
EDF8164A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.102
EDF8164A3MC-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.130
EDF8164A3MD-GD-F-D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.182
EDF8164A3MD-GD-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.436
EDF8164A3MD-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.480
EDF8164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.304
EDF8164A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
EDF8164A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.932
EDF8164A3PF-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.978
EDF8164A3PF-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.740
EDF8164A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager2.592
EDF8164A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager3.798
EDF8164A3PK-JD-F-D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager5.580
EDF8164A3PK-JD-F-R Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager5.436
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße: 8Gb (128M x 64) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 216-WFBGA Lieferantengerätepaket: 216-FBGA (12x12)	Auf Lager3.598

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