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Speicher-ICs

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IS42S16320F-6TL
IS42S16320F-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 167MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
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  • Zugriffszeit: 5.4ns
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
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  • Paket / Fall: 54-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager4.119
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager3.600
IS42S16320F-7TL-TR
IS42S16320F-7TL-TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager3.744
IS42S16400D-6BL
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IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
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  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager7.722
IS42S16400D-6BLI
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IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager7.020
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IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager8.298
IS42S16400D-6BL-TR
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IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager5.652
IS42S16400D-6T
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager7.110
IS42S16400D-6TL
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager3.870
IS42S16400D-6TLI
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager3.762
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager6.624
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager2.682
IS42S16400D-6T-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager8.136
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Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager2.232
IS42S16400D-7BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager2.610
IS42S16400D-7BLI-TR
IS42S16400D-7BLI-TR

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Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager6.534
IS42S16400D-7BL-TR
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Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)
Auf Lager4.752
IS42S16400D-7T
IS42S16400D-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager6.138
IS42S16400D-7TI
IS42S16400D-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager2.232
IS42S16400D-7TI-TR
IS42S16400D-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IS42S16400D-7TL
IS42S16400D-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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