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Speicher-ICs

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IS42S16400D-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager2.232
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager3.438
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
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  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager4.590
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager4.590
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager12.370
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager3.580
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager1.722
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager162.848
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager6.084
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager5.094
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 4.8ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager8.262
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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 4.8ns
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager3.436
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 4.8ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager8.604
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 4.8ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager7.524
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager8.928
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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