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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
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  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
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  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager7.722
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager7.614
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
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  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager8.406
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager5.076
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager5.814
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager4.428
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager6.282
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager6.498
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager2.556
IS42S16800E-7TL
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager4.643
IS42S16800E-7TLI
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager7.272
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager4.266
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IS42S16800E-7TL-TR

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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager8.154
IS42S16800F-5TLI
IS42S16800F-5TLI

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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IS42S16800F-5TLI-TR
IS42S16800F-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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