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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
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  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager3.348
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager4.032
IS42S32400E-7TL
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager14.823
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager5.184
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager6.156
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager5.562
IS42S32400F-6B
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager6.894
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager5.256
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager2.682
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager746
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager6.624
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager4.338
IS42S32400F-6BL-TR
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager8.010
IS42S32400F-6B-TR
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager8.316
IS42S32400F-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager12.977
IS42S32400F-6TLI
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager21.328
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IS42S32400F-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager2.124
IS42S32400F-6TL-TR
IS42S32400F-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager6.408
IS42S32400F-7B
IS42S32400F-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IS42S32400F-7BI
IS42S32400F-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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