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Speicher-ICs

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: -
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager2.304
IS42S32800B-6BI
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager7.614
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager2.394
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager4.698
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager3.132
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager6.570
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager6.552
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager3.454
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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager5.346
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager19.715
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager8.982
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager7.218
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager3.474
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager2.502
IS42S32800B-7B
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)
Auf Lager8.964
IS42S32800B-7BI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)
Auf Lager639
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)
Auf Lager7.434
IS42S32800B-7BL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)
Auf Lager7.128
IS42S32800B-7BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)
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IS42S32800B-7BLI-TR
IS42S32800B-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)
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