Speicher-ICs

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IS43DR16640B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.318
IS43DR16640B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.002
IS43DR16640C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager1.432
IS43DR16640C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager13.986
IS43DR16640C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.608
IS43DR16640C-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TFBGA (12.5x8)	Auf Lager8.640
IS43DR16640C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TFBGA (12.5x8)	Auf Lager6.804
IS43DR16640C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.050
IS43DR16640C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager16.824
IS43DR16640C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.858
IS43DR81280A-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x13.65)	Auf Lager1.004
IS43DR81280B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager5.760
IS43DR81280B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager52.715
IS43DR81280B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager3.490
IS43DR81280B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.146
IS43DR81280B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.982
IS43DR81280B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.520
IS43DR81280B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.876
IS43DR81280B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.704
IS43DR81280B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.266
IS43DR81280B-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.110
IS43DR81280B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.370
IS43DR81280B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager3.006
IS43DR81280B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.552
IS43DR81280B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager3.024
IS43DR81280C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.352
IS43DR81280C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager5.454
IS43DR81280C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.694
IS43DR81280C-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.820
IS43DR81280C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.894

IS43DR16640B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager6.318

IS43DR16640B-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager7.002

IS43DR16640C-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager1.432

IS43DR16640C-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager13.986

IS43DR16640C-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager4.608

IS43DR16640C-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TFBGA (12.5x8)

Auf Lager8.640

IS43DR16640C-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TFBGA (12.5x8)

Auf Lager6.804

IS43DR16640C-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager4.050

IS43DR16640C-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager16.824

IS43DR16640C-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager6.858

IS43DR81280A-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x13.65)

Auf Lager1.004

IS43DR81280B-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager5.760

IS43DR81280B-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager52.715

IS43DR81280B-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager3.490

IS43DR81280B-25DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.146

IS43DR81280B-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.982

IS43DR81280B-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager2.520

IS43DR81280B-25EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.876

IS43DR81280B-25EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.704

IS43DR81280B-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.266

IS43DR81280B-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.110

IS43DR81280B-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.370

IS43DR81280B-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager3.006

IS43DR81280B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.552

IS43DR81280B-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager3.024

IS43DR81280C-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.352

IS43DR81280C-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager5.454

IS43DR81280C-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager2.694

IS43DR81280C-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.820

IS43DR81280C-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.894

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message